NTE455

NTE Electronics, Inc

NTE455

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET-DUAL GATE N-CH

AktivSOT-103Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 10 V
HerstellerNTE Electronics, Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25mA
Max. Verlustleistung200mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBag
Package / CaseSOT-103

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~125°C