Allgemein
| Ausgangstyp | Phototransistor |
|---|---|
| Hersteller | NTE Electronics, Inc |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Sensing Method | Reflective |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Ausgangstyp | Phototransistor |
|---|---|
| Hersteller | NTE Electronics, Inc |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Sensing Method | Reflective |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
| Gehäuse | Bulk |
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| Betriebstemperatur | -20°C~85°C |
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