Allgemein
| Ausgangskonfiguration | Phototransistor |
|---|---|
| Hersteller | NTE Electronics, Inc |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 8µs, 50µs |
| Sensing Distance | 0.118" (3mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 0.4 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 60 mA |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | PCB Mount |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~100°C |
|---|