Allgemein
| Hersteller | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 10A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
| Power - Max | 125 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3PN |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|