Allgemein
| Hersteller | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 1A, 10A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 55 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 150 W |
| Frequency - Transition | 25MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3PBL |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|