NTE222

NTE Electronics, Inc

NTE222

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CHANNEL 25V 50MA TO72

AktivTO-206AF, TO-72-4 Metal CanAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3300 pF @ 15 V
HerstellerNTE Electronics, Inc
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 20µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50mA (Tj)
Max. Verlustleistung360mW (Ta), 1.2mW (Tc)

Mechanisch

GehäuseBag
Package / CaseTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Hersteller-GehäuseTO-72

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C~175°C(TJ)