Allgemein
| Hersteller | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bag |
| Teilestatus | Aktiv |
| Transistor Type | PNP |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Hersteller | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bag |
| Teilestatus | Aktiv |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 300mA, 1V |
| Power - Max | 550 mW |
| Package / Case | TO-1-3 Metal Can |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-1 |