Allgemein
| Hersteller | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bag |
| Teilestatus | Aktiv |
| Transistor Type | NPN |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Hersteller | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bag |
| Teilestatus | Aktiv |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
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