Allgemein
| Hersteller | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 2mA, 1V |
| Power - Max | 625 mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Hersteller-Gehäuse | TO-92 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|