1N916

NTE Electronics, Inc

1N916

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

AktivDO-204AH, DO-35, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Capacitance @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
HerstellerNTE Electronics, Inc
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)4 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 10 mA
Current - Average Rectified (Io)200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 75 V
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Mechanisch

GehäuseBag
Package / CaseDO-204AH, DO-35, Axial
Hersteller-GehäuseDO-35

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C