1N645

NTE Electronics, Inc

1N645

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

AktivDO-204AH, DO-35, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Capacitance @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
HerstellerNTE Electronics, Inc
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)225 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 400 mA
Current - Average Rectified (Io)400mA
Current - Reverse Leakage @ Vr200 nA @ 225 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBag
Package / CaseDO-204AH, DO-35, Axial
Hersteller-GehäuseDO-35

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C