TO220FMDD4N65F

NextGen Components

TO220FMDD4N65F

Analog & Leistungselektronik

MOSFET TO-220F N 650V 4A

AktivTubeAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
HerstellerNextGen Components
Product StatusActive
SerieTO-220F
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube