PXN5R4-30QLJ

Nexperia USA Inc

PXN5R4-30QLJ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 14.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 15 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 66A (Tc)
Max. Verlustleistung1.8W (Ta), 39W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseMLPAK33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)