PXN018-30QLJ

Nexperia USA Inc

PXN018-30QLJ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds447 pF @ 15 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Max. Verlustleistung1.7W (Ta), 10.9W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseMLPAK33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)