PSMNR51-25YLHX

Nexperia USA Inc

PSMNR51-25YLHX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56

AktivSOT-1023, 4-LFPAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.57mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6990 pF @ 12 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 2mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C380A (Tc)
Max. Verlustleistung333W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
Hersteller-GehäuseLFPAK56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)