Allgemein
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128 nC @ 10 V |
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128 nC @ 10 V |
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung | 100 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tj) |
| Max. Verlustleistung | 296W |
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Hersteller-Gehäuse | D2PAK |
| Betriebstemperatur | 175°C(TJ) |
|---|