PSMN8R9-100BSEJ

Nexperia USA Inc

PSMN8R9-100BSEJ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 108A D2PAK

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs128 nC @ 10 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tj)
Max. Verlustleistung296W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD2PAK

Umwelt

Betriebstemperatur175°C(TJ)