PSMN7R5-30YLDX

Nexperia USA Inc

PSMN7R5-30YLDX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56

AktivSC-100, SOT-669Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds655 pF @ 15 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C51A (Tj)
Max. Verlustleistung34W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-100, SOT-669
Hersteller-GehäuseLFPAK56, Power-SO8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)