PSMN6R9-100YSFX

Nexperia USA Inc

PSMN6R9-100YSFX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56

ObsoletSC-100, SOT-669Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerPSMN6R9
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50.3 nC @ 10 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Max. Verlustleistung238W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-100, SOT-669
Hersteller-GehäuseLFPAK56, Power-SO8

Umwelt

Betriebstemperatur175°C (TJ)