PSMN4R2-40VSHX

Nexperia USA Inc

PSMN4R2-40VSHX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D

AktivSOT-1205, 8-LFPAK56Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerPSMN4R2
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2590pF @ 25V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C98A (Ta)
Power - Max85W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
Hersteller-GehäuseLFPAK56D

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)