PSMN3R5-80YSFX

Nexperia USA Inc

PSMN3R5-80YSFX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A

AktivSOT-1023, 4-LFPAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7227 pF @ 40 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Ta)
Max. Verlustleistung294W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
Hersteller-GehäuseLFPAK56, Power-SO8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)