PSMN0R9-30ULDX

Nexperia USA Inc

PSMN0R9-30ULDX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56

AktivSOT-1023, 4-LFPAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.87mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7668 pF @ 15 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300A (Ta)
Max. Verlustleistung227W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
Hersteller-GehäuseLFPAK56, Power-SO8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)