PSMN040-100MSEX

Nexperia USA Inc

PSMN040-100MSEX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33

AktivSOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs36.6mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1470 pF @ 50 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tj)
Max. Verlustleistung91W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Hersteller-GehäuseLFPAK33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)