PSMN014-80YLX

Nexperia USA Inc

PSMN014-80YLX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56

AktivSC-100, SOT-669Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4640 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Tc)
Max. Verlustleistung147W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-100, SOT-669
Hersteller-GehäuseLFPAK56, Power-SO8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)