PSMN013-80YS,115

Nexperia USA Inc

PSMN013-80YS,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56

AktivSC-100, SOT-669Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.9mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2420 pF @ 40 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Max. Verlustleistung106W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-100, SOT-669
Hersteller-GehäuseLFPAK56, Power-SO8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)