PSMN009-100B,118

Nexperia USA Inc

PSMN009-100B,118

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

NEXPERIA PSMN009-100B - 75A, 100

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8250 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Max. Verlustleistung230W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Hersteller-GehäuseD2PAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)