PQMH10Z

Nexperia USA Inc

PQMH10Z

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6

Aktiv6-XFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerPQMH10
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47kOhms
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Power - Max350mW
Frequency - Transition230MHz

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN1010B-6

Umwelt

GradeAutomotive
QualificationAEC-Q101