PMZ250UN,315

Nexperia USA Inc

PMZ250UN,315

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3

ObsoletSC-101, SOT-883Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 200mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds45 pF @ 20 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.28A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-101, SOT-883
Hersteller-GehäuseSOT-883

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)