PMZ200UNEYL

Nexperia USA Inc

PMZ200UNEYL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3

AktivSC-101, SOT-883Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1.4A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds89 pF @ 15 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta)
Max. Verlustleistung350mW (Ta), 6.25W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseSC-101, SOT-883
Hersteller-GehäuseSOT-883

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)