PMV65XPER

Nexperia USA Inc

PMV65XPER

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds618 pF @ 10 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Max. Verlustleistung480mW (Ta), 6.25W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)