PMV32UP,215

Nexperia USA Inc

PMV32UP,215

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 2.4A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1890 pF @ 10 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Max. Verlustleistung510mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)