PMV240SPR

Nexperia USA Inc

PMV240SPR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs365mOhm @ 1.2A, 10V
Basis-TeilenummerPMV240
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds549 pF @ 50 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A (Ta)
Max. Verlustleistung710mW (Ta), 8.3W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)