PMV20XNER

Nexperia USA Inc

PMV20XNER

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 5.7A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 15 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A (Ta)
Max. Verlustleistung510mW (Ta), 6.94W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)