PMV19XNEAR

Nexperia USA Inc

PMV19XNEAR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 6A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 15 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q100
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Max. Verlustleistung610mW (Ta), 8.3W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)