PMV130ENEAR

Nexperia USA Inc

PMV130ENEAR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds170 pF @ 20 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A (Ta)
Max. Verlustleistung460mW (Ta), 5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q100