PMPB95ENEA/FX

Nexperia USA Inc

PMPB95ENEA/FX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 4.1A 6DFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 2.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds504 pF @ 40 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A (Ta)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101