PMPB33XP,115

Nexperia USA Inc

PMPB33XP,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 5.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1575 pF @ 10 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
Max. Verlustleistung1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN2020MD-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)