PMPB33XN,115

Nexperia USA Inc

PMPB33XN,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 4.3A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds505 pF @ 15 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta), 8.3W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN2020MD-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)