PMPB11R2VPX

Nexperia USA Inc

PMPB11R2VPX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 9.7A DFN2020M-6

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 9.7A, 4.5V
Basis-TeilenummerPMPB11
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2230 pF @ 6 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.7A (Ta)
Max. Verlustleistung1.9W (Ta), 12.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN2020MD-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)