PMPB08R6ENX

Nexperia USA Inc

PMPB08R6ENX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 11A, 10V
Basis-TeilenummerPMPB08
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds840 pF @ 15 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta)
Max. Verlustleistung1.9W (Ta), 12.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN2020MD-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)