PMN280ENEAX

Nexperia USA Inc

PMN280ENEAX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP

AktivSC-74, SOT-457Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs385mOhm @ 1.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190 pF @ 50 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A (Ta)
Max. Verlustleistung667mW (Ta), 7.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101