PMN230ENEX

Nexperia USA Inc

PMN230ENEX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 1.6A 6TSOP

ObsoletSC-74, SOT-457Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs222mOhm @ 1.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds177 pF @ 30 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
Max. Verlustleistung475mW (Ta), 3.9W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-74, SOT-457
Hersteller-Gehäuse6-TSOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)