PMN100EPAX

Nexperia USA Inc

PMN100EPAX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP

AktivSC-74, SOT-457Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 2.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds616 pF @ 30 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
Max. Verlustleistung660mW (Ta), 7.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-74, SOT-457
Hersteller-Gehäuse6-TSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)