PMH1200UPEH

Nexperia USA Inc

PMH1200UPEH

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3

Aktiv3-XFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds33 pF @ 15 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C520mA (Tc)
Max. Verlustleistung380mW (Ta), 2.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-XFDFN
Hersteller-GehäuseDFN0606-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)