PMGD280UN,115

Nexperia USA Inc

PMGD280UN,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP

Abgekündigt6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 200mA, 4.5V
Basis-TeilenummerPMGD280
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.89nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds45pF @ 20V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C870mA
Power - Max400mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-Gehäuse6-TSSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)