PMGD175XNEX

Nexperia USA Inc

PMGD175XNEX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP

Aktiv6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs252mOhm @ 900mA, 4.5V
Basis-TeilenummerPMGD175
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.65nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds81pF @ 15V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C870mA (Ta)
Power - Max260mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-Gehäuse6-TSSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)