PMF170XP,115

Nexperia USA Inc

PMF170XP,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 1A SOT323

AktivSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds280 pF @ 10 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.15V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Max. Verlustleistung290mW (Ta), 1.67W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseSOT-323

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)