PMEG3010AESBZ

Nexperia USA Inc

PMEG3010AESBZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2

Obsolet2-XDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Capacitance @ Vr, F32pF @ 10V, 1MHz
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)3.5 ns
TechnologieSchottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If480 mV @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr1.25 mA @ 30 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case2-XDFN
Hersteller-GehäuseDSN1006-2

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C (Max)