PMDXB950UPEZ

Nexperia USA Inc

PMDXB950UPEZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN

Aktiv6-XFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Basis-TeilenummerPMDXB950
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43pF @ 10V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA
Power - Max265mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN1010B-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)