PMDXB600UNEZ

Nexperia USA Inc

PMDXB600UNEZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

Aktiv6-XFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs620mOhm @ 600mA, 4.5V
Basis-TeilenummerPMDXB600
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21.3pF @ 10V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA
Power - Max265mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN1010B-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)