PMDXB1200UPEZ

Nexperia USA Inc

PMDXB1200UPEZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN

Aktiv6-XFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Basis-TeilenummerPMDXB1200
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43.2pF @ 15V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C410mA
Power - Max285mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN1010B-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)